Оперативна пам'ять DDR3
Samsung 8 GB DDR3 1866 MHz (M393B1G70QH0-CMA) PC3-14900R Registered RDIMM
| Код товару: | 1000008 |
| Частота шини: | 1600 MHz |
| Об`єм пам'яті: | 8 Gb |
| Застосовність: | Серверы |
| Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.5 V |
1475 Грн.
Samsung 8 GB DDR3L 1333 MHz (M393B1K70CH0-YH9) PC3L-10600R Registered RDIMM
| Код товару: | 1000003 |
| Частота шини: | 1333 MHz |
| Об`єм пам'яті: | 8 Gb |
| Застосовність: | Серверы |
| Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
| Тип пам'яті: | DDR3L |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1290 Грн.
Samsung 8 GB DDR3L 1600 MHz (M393B1K70DH0-YK0) PC3-12800R Registered RDIMM
| Код товару: | 19002345512 |
| Частота шини: | 1600 MHz |
| Застосовність: | Серверы |
| Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35-1.5 V |
1675 Грн.
Samsung 8Gb DDR3 1333 MHz (M393B1K70DH0-CH9) 2Rx4 PC3-10600R Registered RDIMM
| Код товару: | 1000002 |
| Частота шини: | 1333 MHz |
| Об`єм пам'яті: | 8 Gb |
| Застосовність: | Серверы |
| Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.5 V |
1260 Грн.
Samsung 8GB DDR3L 1066 MHz (M393B1K73DH0-YF8) PC3L-8500R ECC REG
| Код товару: | 71233546321 |
| Частота шини: | 1066 MHz |
| Застосовність: | Серверы |
| Пропускна спроможність шини: | 8500 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1290 Грн.
SODIMM Samsung 8 GB DDR3L 1600 MHz (M471B1G73EB0-YK0) PC3L-12800
| Код товару: | 7435016 |
| Частота шини: | 1600 MHz |
| Об`єм пам'яті: | 8 Gb |
| Застосовність: | Ноутбуки |
| Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1175 Грн.
SODIMM Corsair 4 GB DDR3 1066 MHz Mac Memory (CMSA4GX3M1A1066C7)
| Код товару: | 9000131 |
| Частота шини: | 1066 MHz |
| Пропускна спроможність шини: | 8500 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.5 V |
1395 Грн.
SODIMM Corsair 8 GB DDR3L 1600 MHz Value Select (CMSO8GX3M1C1600C11)
| Код товару: | 89341034 |
| Частота шини: | 1600 MHz |
| Застосовність: | Ноутбуки |
| Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1375 Грн.
SODIMM Crucial 16 GB DDR3L 1600 MHz (CT204864BF160B.16FA)
| Код товару: | 007890013 |
| Частота шини: | 1600 MHz |
| Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
5630 Грн.
SODIMM Crucial 4 GB DDR3L 1866 MHz (CT51264BF186DJ)
| Код товару: | 5450198 |
| Частота шини: | 1866 MHz |
| Застосовність: | Ноутбуки |
| Пропускна спроможність шини: | 14900 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1275 Грн.
SODIMM Crucial 4 GB DDR3 1066 MHz (CT4G3S1067M.M16FMR)
| Код товару: | 13000980078 |
| Частота шини: | 1066 MHz |
| Застосовність: | Ноутбуки |
| Пропускна спроможність шини: | 8500 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.5 V |
510 Грн.
SODIMM Crucial 4 GB DDR3L 1600 MHz (CT4G3S160BMCEU) PC3L-12800
| Код товару: | 90005543 |
| Частота шини: | 1600 MHz |
| Застосовність: | Ноутбуки |
| Найменування: | CT4G3S160BMCEU |
| Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1590 Грн.
SODIMM Crucial 4 GB DDR3L 1866 MHz Memory for Mac (CT4G3S186DJM)
| Код товару: | 94525 |
| Частота шини: | 1866 MHz |
| Застосовність: | Ноутбуки |
| Пропускна спроможність шини: | 14900 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.35 V |
1275 Грн.
SODIMM Crucial 4GB DDR3 1066 MHz (CT51264BC1067.16FR) PC3-8500
| Код товару: | 67900131 |
| Частота шини: | 1066 MHz |
| Пропускна спроможність шини: | 8500 Mb/s |
| Напруга живлення: | 1.5 V |
585 Грн.
Оперативна пам'ять DDR3

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.
У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным -1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существует вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %.
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.















