Оперативна пам'ять DDR3
SODIMM Samsung 4 GB DDR3 1333 MHz (M471B5273BH1-CH9)
Код товару: | 8007800321 |
Частота шини: | 1333 MHz |
Застосовність: | Ноутбуки |
Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
390 Грн.
HyperX 16 GB (2x8GB) DDR3 1600 MHz FURY (HX316C10FBK2/16)
Код товару: | 25881700 |
Частота шини: | 1600 MHz |
Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
2300 Грн.
HyperX 16 GB (2x8GB) DDR3 1600 MHz FURY (HX316C10FK2/16)
Код товару: | 172351 |
Частота шини: | 1600 MHz |
Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
2300 Грн.
Micron 16GB DDR3L 1066 MHz MT36KSF2G72PDZ-1G1D1HE PC3L-8500R ECC REG
Код товару: | 6670098721 |
Частота шини: | 1066 MHz |
Застосовність: | Серверы |
Пропускна спроможність шини: | 8500 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.35 V |
3575 Грн.
Samsung 16 GB DDR3L 1600 MHz (M393B2G70QH0-YK0)
Код товару: | 009713 |
Частота шини: | 1600 Mhz |
Застосовність: | Серверы |
Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.35 V |
2230 Грн.
Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (M378B5773DH0-CH9) PC3-10600
Код товару: | 8000001 |
Частота шини: | 1333 MHz |
Об`єм пам'яті: | 2 Gb |
Застосовність: | Настольные ПК |
Найменування: | M378B5773DH0-CH9 |
Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
Тип пам'яті: | DDR3 |
Напруга живлення: | 1.5 V |
830 Грн.
Samsung 8GB DDR3 1333 MHz (M393B1K70CH0-CH9Q5) PC3-10600R ECC REG
Код товару: | 32100987045 |
Частота шини: | 1333 MHz |
Застосовність: | Серверы |
Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
1210 Грн.
Samsung 8GB DDR3 1866 MHz (M393B1G70QH0-CMAQ8) PC3-14900R ECC REG
Код товару: | 234550078921 |
Частота шини: | 1866 MHz |
Застосовність: | Серверы |
Пропускна спроможність шини: | 14900 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
1675 Грн.
SODIMM Hynix 2 GB DDR3 1333 MHz (HMT325S6CFR8C-H9)
Код товару: | 567004401 |
Частота шини: | 1333 MHz |
Об`єм пам'яті: | 2 Gb |
Застосовність: | Ноутбуки |
Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
250 Грн.
SODIMM Hynix 8 GB DDR3L 1866 MHz (HMT41GS6DFR8A-RD)
Код товару: | 710395 |
Частота шини: | 1866 MHz |
Застосовність: | Ноутбуки |
Пропускна спроможність шини: | 14900 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.35 V |
1875 Грн.
SODIMM Samsung 2 GB DDR3 1333 MHz (M471B5773DH0-CH9) PC3-10600
Код товару: | 12131214 |
Частота шини: | 1333 MHz |
Об`єм пам'яті: | 2 Gb |
Застосовність: | Ноутбуки |
Найменування: | M471B5773DH0-CH9 |
Пропускна спроможність шини: | 10600 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
175 Грн.
SODIMM Transcend 4 GB DDR3L 1600 MHz (TS512MSK64W6H)
Код товару: | 60005514 |
Частота шини: | 1600 MHz |
Застосовність: | Ноутбуки |
Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.35 V |
1625 Грн.
Crucial 16 GB DDR3L 1600 MHz (CT16G3ERSLD4160B)
Код товару: | 113457765 |
Частота шини: | 1600 MHz |
Застосовність: | Серверы |
Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.35 V |
2290 Грн.
Crucial 8 GB DDR3 1600 MHz (CT102464BA160B)
Код товару: | 70998025 |
Частота шини: | 1600 MHz |
Застосовність: | Настольные ПК |
Пропускна спроможність шини: | 12800 Mb/s |
Напруга живлення: | 1.5 V |
1470 Грн.
Оперативна пам'ять DDR3

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.
У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным -1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существует вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %.
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.