Оперативная память DDR2
SODIMM Kingston 2 GB DDR2 667 MHz (KTL-TP667/2G)
Код товара: | 70550098 |
Частота шины: | 667 MHz |
Применимость: | Ноутбуки |
Пропускная способность шины: | 5300 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8 V |
290 Грн.
SODIMM Kingston 1GB DDR2 667 MHz KVR(667D2S5/1G) PC2-5300
Код товара: | 7000029 |
Частота шины: | 667 MHz |
Объем памяти: | 1 GB |
Применимость: | Ноутбуки |
Наименование: | KVR667D2S5/1G |
Пропускная способность шины: | PC2-5300 Mb/c |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.8 V |
355 Грн.
Corsair 2 GB DDR2 800 MHz (CM2X2048-6400C5)
Код товара: | 5550021 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 2 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Наименование: | CM2X2048-6400C5 |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.9 V |
845 Грн.
Corsair 2GB DDR2 800 MHz (VS2GB800D2) PC2-6400
Код товара: | 7000022 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 2 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Наименование: | VS2GB800D2 |
Пропускная способность шины: | PC2-6400 Mb/c |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.8 V |
975 Грн.
Crucial 1 GB DDR2 800 MHz (CT12864AA800)
Код товара: | 78925 |
Частота шины: | 800 MHz |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
425 Грн.
Crucial 2 GB DDR2 800 MHz (CT25664AA800)
Код товара: | 1234677 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 2 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Наименование: | CT25664AA800 |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.8V |
935 Грн.
EDGE DDR2 4GB 800 MHz 4GN581608
Код товара: | 234001235 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 4 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8 V |
1845 Грн.
GOODRAM 2 GB DDR2 800 MHz (GR800D264L6/2G)
Код товара: | 79876001 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 2 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8 V |
875 Грн.
GOODRAM 4 GB DDR2 800 MHz (GR800D264L6/4G)
Код товара: | 10778701 |
Частота шины: | 800 MHz |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8V |
2275 Грн.
GOODRAM 4GB DDR2 800 MHz (GR800D264L6/4G)
Код товара: | 7000097 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 4 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Наименование: | GR800D264L6/4G |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/c |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.8 V |
2625 Грн.
Hynix 1GB DDR2 667 MHz (HYMP512U64CP8-Y5) PC2-5300
Код товара: | 345118 |
Частота шины: | 667 MHz |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8 Vv |
210 Грн.
Hynix 1GB DDR2 800 MHz (HYMP112U64CP8-S6) PC2-6400
Код товара: | 7000099 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 1 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Наименование: | HYMP112U64CP8-S6) |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/c |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.8 V |
200 Грн.
Hynix 2 GB DDR2 800 MHz (HMP125U6EFR8C-S6)
Код товара: | 703355016 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 2 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Пропускная способность шины: | 6400 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8 V |
250 Грн.
Hynix 2GB DDR2 800 MHz (HYMP125U64CP8-S6) PC2-6400
Код товара: | 7000020 |
Частота шины: | 800 MHz |
Объем памяти: | 2 Gb |
Применимость: | Настольные ПК |
Наименование: | HYMP125U64CP8-S6 |
Пропускная способность шины: | PC2-6400 Mb/c |
Тип памяти: | DDR2 |
Напряжение питания: | 1.8 V |
240 Грн.
Hynix 4GB DDR2 667 MHz (HYMP151F72CP4N3-Y5) PC2-5300F REG ECC
Код товара: | 9000445679 |
Частота шины: | 667 MHz |
Применимость: | Серверы |
Пропускная способность шины: | 5300 Mb/s |
Напряжение питания: | 1.8 V |
1285 Грн.
Оперативная память DDR2

DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.
Память DDR2 была введена во втором квартале 2003 года, конкурентоспособной с DDR стала к концу 2004 года.
В 2010-х была в значительной степени вытеснена памятью стандарта DDR3.Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR.
Внешнее отличие модулей памяти DDR2 от DDR — 240 контактов (по 120 с каждой стороны)
- Микросхемы памяти DDR2 производятся в новом корпусе типа BGA (FBGA).
- Напряжение питания микросхем: 1,8 В
- Потребляемая мощность: 247 мВт
- Интерфейс ввода-вывода: SSTL_18
- Burst Length: 4/8
- Prefetch Size: 4-bit
- DDR2 не является обратно совместимой с DDR, поэтому ключ на модулях DDR2 расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний (или первый), невозможно.
- наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок. Обозначаются символами ECC, например, так: PC2-6400 ECC;
- наличию специализированной микросхемы адресации — register. «Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферизированных — «registered» — модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной ёмкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.
- наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.
- Преимущества по сравнению с DDR
- Более высокая полоса пропускания
- Как правило, меньшее энергопотребление
- Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
- Недостатки по сравнению с DDR
- Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
- Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше
Быстрейшей серийно выпускаемой памятью DDR2 является Team Xtreem PC2-10400, которая, однако, имеет большие задержки — 6-6-6-х и повышенное напряжение питания — 2,35-2,45 В. Для таймингов 5-5-5-х, по-видимому, быстрейшими серийными модулями являются PC2-9600, а для 4-4-4-х — PC2-8888 производства Corsair и Geil Ultra Plus PC2-9280. Существуют также модули с наименьшими задержками, CL3, со значительно меньшей скоростью работы. Самыми быстрыми из них являются PC2-6400[1].
Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:
Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered (обычная память) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале. Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR2.
Категорически невозможно использовать registered (Регистровая память) память вместо обычной памяти и наоборот. Без всяких исключений. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR3, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.